发布于：2017-01-03 10:37
我国首个存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工，该基地总投资240亿美元，计划于2020年全面建成，建成后年产值将超过100亿美元。
国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。
3D NAND技术被视为存储行业的未来，能在体积不变甚至缩小的情况下大幅提升容量、降低成本，广泛用于闪存、SSD、内存的制造之中。三星是最早量产3D NAND闪存的厂商，目前已是全球最大的手机内存供应商。2016年下半年，由于手机需求旺盛以及产能不足等原因，内存条、固态硬盘等产品大幅涨价。
